IRF7313TRPBF vs IRF7309TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7313TRPBF メーカー: Infineon および IRF7309TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7313TRPBF IRF7309TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.27 $0.35
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7313TRPBF —
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) IR HEXFET Generation V
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55C to +150C (TJ)
パッケージ 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
MSLレベル 1 MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Polarity — N+P
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
RoHS ステータス — Compliant
Packaging — Tape & Reel

データシート&リソース

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