IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7351TRPBF メーカー: Infineon および IRF7341GTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7351TRPBF IRF7341GTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.68 $0.76
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) 8 A 5.1 A
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) 2 W 2.4 W
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) IR HEXFET Planar MOSFET
パッケージ 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix = lead-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
動作温度範囲 — -55 C to +175 C

データシート&リソース

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