IRF7815TRPBF vs IRFR3411TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7815TRPBF メーカー: Infineon および IRFR3411TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRF7815TRPBF IRFR3411TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.55
FET Type N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Technology IR MOSFET (HEXFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 150 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 43 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 25 nC —
Maximum Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
動作温度範囲 -55C to +150C (Tj) -55 C to +175 C
パッケージ SO-8 (8-SO) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
ピン数 — 3
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

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