IRF8736TRPBF vs IRF7309TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF8736TRPBF メーカー: Infineon および IRF7309TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF8736TRPBF IRF7309TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.27 $0.35
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET / HEXFET IR HEXFET Generation V
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A —
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
パッケージ SO-8 (8-SO, MS-012AA) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) Tape & Reel
Polarity — N+P
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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