IRFH5020TRPBF vs IRFH7084TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFH5020TRPBF メーカー: Infineon および IRFH7084TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF - 40V 100A N-Ch StrongIRFET PQFN | Infineon

IRFH7084TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFH5020TRPBF IRFH7084TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.36 $0.45
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ —
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
消費電力(TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (TJ max) -55°C to +175°C (TJ)
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
MSLレベル 1 (per industry standard for PQFN-8) 1
Technology — StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
パッケージ — 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
RoHS ステータス — Compliant
ハロゲンフリー — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

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