IRFH5020TRPBF vs IRFH7084TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFH5020TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH7084TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFH5020TRPBF IRFH7084TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.36 $0.45
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ —
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
전력 손실 (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C (TJ max) -55°C to +175°C (TJ)
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
MSL 레벨 1 (per industry standard for PQFN-8) 1
Technology — StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
패키지 — 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
RoHS 상태 — Compliant
할로겐 프리 — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

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