IRFR220NPBF vs IRFR2405TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR220NPBF メーカー: Infineon および IRFR2405TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF - 55V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR2405TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR220NPBF IRFR2405TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.74 $0.61
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 5 A —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 43 W —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 0.6 ohm at VGS = 10 V —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) —
Technology HEXFET (Planar) HEXFET (IR MOSFET)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 70 nC
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes, lead-free (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet characterization) —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) plus tab 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
動作接合温度 — -55C to +175C
パッケージ — TO-252AA (DPAK)
RoHS ステータス — Compliant (Lead-Free PBF suffix)
ハロゲンフリー — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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