IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR3710ZTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR3710ZTRLPBF メーカー: Infineon および IRFR3710ZTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ 生産中
Infineon
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF - 100V N-Channel 56A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR3710ZTRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.58 $0.42
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
パッケージ TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252AA (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
動作温度 -55 C to +175 C (TJ) —
RoHS ステータス Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
動作接合温度 — -55C to +175C
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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