IRFR5410TRPBF vs IRFR1205TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR5410TRPBF メーカー: Infineon および IRFR1205TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR5410TRPBF IRFR1205TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.71 $0.49
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/- 20 V
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
パッケージ TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (TJ) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V min, 4 V max
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Total Gate Charge (Qg) — 43.3 nC
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
動作接合温度 — -55C to +175C
RoHS ステータス — Compliant (PBF suffix = lead-free)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

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