IRL540NSTRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF 比較

詳細な並列比較: IRL540NSTRLPBF メーカー: Infineon および IRLR3114ZTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRL540NSTRLPBF IRLR3114ZTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.51 $0.46
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 36 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 130 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 44 mΩ —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (Qg) 49.3 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 140 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3.8 W —
動作温度範囲 -55°C to +175°C —
パッケージ TO-263 (D2PAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
RoHS ステータス Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
ピン数 — 3 (2 + tab)

データシート&リソース

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