IRLML6346TRPBF vs IRLHS6242TRPBF 比較
詳細な並列比較: IRLML6346TRPBF メーカー: Infineon および IRLHS6242TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IRLML6346TRPBF | IRLHS6242TRPBF |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.18 | $0.12 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| 動作接合温度 | -55C to +150C | — |
| パッケージ | Micro3 / SOT-23 | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (trench MOSFET) |
| MSLレベル | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±12 V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 12 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 11.7 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 1.98 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 9.6 W |
| 動作温度 | — | -55°C to +150°C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |