ISA250300C04LMDSXTMA1 vs IRF7341GTRPBF 比較

詳細な並列比較: ISA250300C04LMDSXTMA1 メーカー: Infineon および IRF7341GTRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISA250300C04LMDSXTMA1 IRF7341GTRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.61 $0.76
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-channel + P-channel (N+P array) Dual N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 55 V
Continuous Drain Current N-channel 5.9 A (Ta), 7.9 A (Tc) —
Continuous Drain Current P-channel 5.8 A (Ta), 7.8 A (Tc) —
Power Dissipation 1.4 W (Ta), 2.5 W (Tc) —
パッケージ SO-8 (PG-DSO-8-920) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) IR HEXFET Planar MOSFET
Packaging Tape & Reel (suffix XTMA1) —
Datasheet Document Infineon ISA250300C04LMDS datasheet (per Infineon product page) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range per channel] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) per channel at specified VGS] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]

データシート&リソース

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