ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 比較
詳細な並列比較: ISC015N04NM5ATMA1 メーカー: Infineon および ISC011N03L5SATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISC015N04NM5ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.98 | $0.47 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | — |
| パッケージ / ケース | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 8 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| MSLレベル | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| トランジスタタイプ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| パッケージ | — | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| 動作温度 | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |