ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC015N04NM5ATMA1 от Infineon и ISC011N03L5SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC015N04NM5ATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $0,47
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 40V Normal Level OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) OptiMOS 5 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) —
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) —
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Корпус — PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Рабочая температура — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену