ISC015N06NM5ATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC015N06NM5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC016N06NSTATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC015N06NM5ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 - 60V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N06NM5ATMA1 ✓ 生産中
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BSC016N06NSTATMA1 BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSC016N06NSTATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC015N06NM5ATMA1 BSC016N06NSTATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C 259 A —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 1.5 mOhm —
Total Power Dissipation (TA) 3 W —
Total Power Dissipation (TC) 188 W —
パッケージ PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55 C to +150 C
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) 1 —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
FET Type — N-Channel
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

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