ISC033N03LF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC033N03LF2SATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N04NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ 生産中
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BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC033N03LF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.81 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench (<= 40V) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
パッケージ PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down Dual N-Channel (independent MOSFETs)
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
動作接合温度 — -55 C to +175 C
パッケージ / ケース — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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