ISC033N03LF2SATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC033N03LF2SATMA1 제조: Infineon 및 BSC076N04NDATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
ISC033N03LF2SATMA1 ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 - 30V 108A N-Channel MOSFET | Infineon

ISC033N03LF2SATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISC033N03LF2SATMA1 BSC076N04NDATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.81 $0.82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
MPN ISC033N03LF2SATMA1 —
Part Family OptiMOS LF2 (<= 40V) —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS trench (<= 40V) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 108 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA 22 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum On-Resistance RDS(on) max 3.3 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
패키지 PG-TDSON-8-62 (Source-Down, 5x6 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Junction Temperature (TJ) max [DATA_NEEDED: junction temperature max] —
Configuration Single N-channel, source-down Dual N-Channel (independent MOSFETs)
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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