ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0802NLSATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC046N13NM6ATMA1 メーカー: Infineon および ISC0802NLSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ 生産中
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ISC0802NLSATMA1 ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 - 100V 150A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC0802NLSATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC046N13NM6ATMA1 ISC0802NLSATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.08 $1.80
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
パッケージ / ケース PG-TDSON-8 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55 C to +175 C
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 (Power MOSFET)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Series — OptiMOS 5
Part Number — ISC0802NLSATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 150 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 22 A
RDS(on) max at VGS=10V — 3.6 mOhm
Power Dissipation (Pd) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc — 125 W
パッケージ — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)

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