ISC060N10NM6ATMA1 vs BSC123N08NS3GATMA1 比較

詳細な並列比較: ISC060N10NM6ATMA1 メーカー: Infineon および BSC123N08NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 - 80V 55A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC123N08NS3GATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISC060N10NM6ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.43 $0.71
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 100 V —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
動作温度範囲 -55 °C to +175 °C (TJ) —
パッケージ PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) —
Polarity N-Channel —
RoHS ステータス Compliant Compliant with exemption
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Family — OptiMOS 3
Channel Type — N-Channel
Configuration — Single with built-in body diode
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) — 55 A
Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) — 11 A
Maximum Pulsed Drain Current — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum RDS(on) @ VGS=10 V — 12.3 mOhm
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (Tc) — 66 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
動作接合温度 — -55C to +150C
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101)

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