ISK057N04LM6ATLA1 vs IPB031N08N5ATMA1 比較

詳細な並列比較: ISK057N04LM6ATLA1 メーカー: Infineon および IPB031N08N5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISK057N04LM6ATLA1 IPB031N08N5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.52 $2.62
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology Trench (OptiMOS 6) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta [DATA_NEEDED: ID at TA=25C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
RDS(on) typical at VGS=10V 5.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg total) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 39.1 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55 C to +175 C
パッケージ / ケース PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
MSLレベル 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging Tape & Reel (TR) —
DigiKey Part Number 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND —
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) — 120 A (Tc)
Power Dissipation (PD) Max — 167 W (Tc)
On-Resistance (RDS(on)) Max — 3.1 mOhm (VGS=10V)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
パッケージ — PG-TO263-3 (D2PAK)
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source + Tab)
Tab Connection — Drain (electrically connected to pin)
Automotive Qualified — Yes (per Arrow listing)

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