ISZ230N10NM6ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 比較
詳細な並列比較: ISZ230N10NM6ATMA1 メーカー: Infineon および BSC109N10NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISZ230N10NM6ATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.71 | $0.95 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 3 |
| パッケージ | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| MSLレベル | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 78 W |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| ピン数 | — | 8 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |