K3KL3L30DM-BGCU vs K3KL3L30CM-BGCU 比較
詳細な並列比較: K3KL3L30DM-BGCU メーカー: Samsung Electronics および K3KL3L30CM-BGCU メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K3KL3L30DM-BGCU | K3KL3L30CM-BGCU |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $45.94 | $0.00 |
| メモリタイプ | LPDDR5X DRAM | LPDDR5X SDRAM (Volatile DRAM) |
| Density | 64 Gb | — |
| メモリ構成 | x64 | — |
| データレート | 8533 Mbps | 8533 Mbps |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| 動作温度 | -25 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| パッケージ | 496-ball FBGA | FBGA-496 (BGCU) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| インターフェース | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X (standard LPDDR ball interface) |
| Product Status | EOL | — |
| ブランド | Samsung Semiconductor | — |
| Application Segment | Mobile, consumer electronics, embedded systems | AI devices and automotive |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| メモリサイズ | — | 64 Gb (8 GB) |
| Memory Organization | — | x64 |
| Technology | — | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5X-class low-power DRAM) |
| Die Configuration | — | Stacked multi-die DRAM |
| Power Efficiency | — | Approx. 25% better than previous LPDDR5 generation (per Samsung) |
| Speed Improvement | — | Up to 1.25x faster than previous generation (per Samsung) |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Place of Origin (per distributor listing) | — | Johor, Malaysia |