K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCPB 比較

詳細な並列比較: K4A4G085WF-BITD メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WD-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A4G085WF-BITD K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD - DDR4 4Gb 2666Mbps DRAM | Samsung

K4A4G085WF-BITD ✓ 生産中
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K4A4G085WD-BCPB K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB - 4Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | Samsung

K4A4G085WD-BCPB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G085WF-BITD K4A4G085WD-BCPB
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.65 $0.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
Speed 2666 Mbps (MT/s) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
VPP Voltage 2.5 V —
動作温度 -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 78-ball FBGA (78FBGA) FBGA-78 (PB)
Bank Architecture 8 banks x 4 bank groups —
Burst Length BL8 —
CASレイテンシ CL19 (typical at 2666 Mbps) [DATA_NEEDED: CAS latency]
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
インターフェース Parallel, DDR4 SSTL12 DDR4 (Double Data Rate 4)
Refresh Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) [DATA_NEEDED: refresh specification]
Termination ODT / dynamic ODT —
Data Mask DM supported (x8) —
Application Grade Industrial —
Die Generation — D-die
電源電圧 — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
RoHS ステータス — Compliant (PB lead-free suffix)
ハロゲンフリー — [DATA_NEEDED: halogen-free status]
Datasheet Pages — 66 pages (K4A4G085WD family datasheet)

データシート&リソース

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