K4A4G085WF-BITD vs K4A4G085WD-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WF-BITD | K4A4G085WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Speed | 2666 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA (78FBGA) | FBGA-78 (PB) |
| Bank Architecture | 8 banks x 4 bank groups | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Latence CAS | CL19 (typical at 2666 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| Interface | Parallel, DDR4 SSTL12 | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Termination | ODT / dynamic ODT | — |
| Data Mask | DM supported (x8) | — |
| Application Grade | Industrial | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| Statut RoHS | — | Compliant (PB lead-free suffix) |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) |