K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16TD-062E AUT:R 比較

詳細な並列比較: K4A4G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics および MT40A512M16TD-062E AUT:R メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A4G165WG-BCWE ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G165WG-BCWE MT40A512M16TD-062E AUT:R
ブランド Samsung Electronics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $16.90 $3.90
メモリタイプ DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 256M x 16 —
インターフェース Parallel Parallel
データレート 3200 Mbps —
Access Time 19 ns 19 ns
電源電圧 1.2 V 1.2 V
動作温度 0C to +85C —
パッケージ FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Format DRAM —
Technology DDR4 —
Product Status Active —
RoHS ステータス Compliant (per JLCPCB listing) —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval] [DATA_NEEDED: refresh interval spec]
メモリ構成 — 512M x 16
Clock Frequency / Data Rate — 1.6 GHz
Automotive Qualification — AEC-Q100 (AUT grade)
Packaging Suffix — -R (Tape & Reel)
Speed Grade — -062E
Technology Family — DDR4 SDRAM (SDR/DDR family)
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

データシート&リソース

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