K4A4G165WG-BCWE vs MT40A512M16TD-062E AUT:R Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A4G165WG-BCWE от Samsung Electronics и MT40A512M16TD-062E AUT:R от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A4G165WG-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A4G165WG-BCWE ✓ АктивенMicron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron
MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A4G165WG-BCWE | MT40A512M16TD-062E AUT:R |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $16,90 | $3,90 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | — |
| Access Time | 19 ns | 19 ns |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Рабочая температура | 0C to +85C | — |
| Корпус | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5 x 13 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR4 | — |
| Product Status | Active | — |
| Статус RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | — |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh interval] | [DATA_NEEDED: refresh interval spec] |
| Организация памяти | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.6 GHz |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 (AUT grade) |
| Packaging Suffix | — | -R (Tape & Reel) |
| Speed Grade | — | -062E |
| Technology Family | — | DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) |
| Диапазон рабочих температур | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |