K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BIRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BICR メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BIRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BIRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.25 $6.56
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
データレート 2400 Mbps 2400 Mbps
電源電圧 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
パッケージ 78-ball FBGA 78-FBGA
ピン数 78 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
動作温度 — -40°C to 95°C
Number of Terminals — 78
Die Family — B-die
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 16
インターフェース — SSTL-12
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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