K4A8G085WB vs K4A8G085WB-BIRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BIRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ 生産中
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K4A8G085WB-BIRC K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BIRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB K4A8G085WB-BIRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.20 $6.56
メモリタイプ DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 1G x 8
電源電圧 1.2 V 1.2 V
パッケージ 78-pin FBGA 78-FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
データレート [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 2400 Mbps
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40°C to 95°C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Number of Terminals — 78
Refresh Cycles — 8192
Die Family — B-die
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 16
インターフェース — SSTL-12
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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