K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ ラストタイムバイ仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | ラストバイ | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $50.85 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 1G x 8 | — |
| データレート | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 動作温度 | 0C to +95C | 0°C to +85°C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| インターフェースタイプ | Synchronous, parallel | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| メモリサイズ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |