K4A8G165WB-BCRC vs K4A4G165WD-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics および K4A4G165WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G165WB-BCRC K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BCRC ✓ 生産中
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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WB-BCRC K4A4G165WD-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $12.57 $5.10
メモリタイプ DDR4 SDRAM (DRAM, volatile) DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gb (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
データレート 2400 Mbps (PC4-19200) —
電源電圧 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Technology CMOS DRAM, Samsung 8Gb B-die —
パッケージ 96-ball FBGA (PBGA96) FBGA-96
Ball Pitch 0.8 mm —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
インターフェース DDR4 (Double Data Rate, synchronous) —
On-Die Termination Yes (ODT with dynamic ODT) —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC / CA Parity Yes (CRC function) —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS ステータス Compliant Lead free / RoHS Compliant
Density — 4 Gbit
メモリ構成 — 256M x 16
Speed Bin — DDR4-2400 (BCRC)
Process Generation — Samsung D-die
インターフェースタイプ — DDR4 (double data rate, parallel)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes
CRC Function — Yes
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

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