K4A8G165WB-BCTD vs K4A8G085WB-BCRC 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCTD メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCTD | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $37.00 | $6.80 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Total Density | 8 Gb | — |
| データレート | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) | 2400 Mbps |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 85°C |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL value] | — |
| tRCD | [DATA_NEEDED: tRCD value] | — |
| tRP | [DATA_NEEDED: tRP value] | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |