K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16LY-062E AAT:E 比較

詳細な並列比較: K4A8G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electro-Mechanics および MT40A512M16LY-062E AAT:E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16LY-062E AAT:E
ブランド Samsung Electro-Mechanics Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $29.53 $9.20
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit 8 Gbit (1 GB)
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
データレート 3200 Mbps —
電源電圧 1.2 V 1.2 V
動作温度範囲 0°C to +85°C —
Operating Current 20 mA —
パッケージ FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Row Cycle Time (tRC) 19 ns —
Technology B-die —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ライフサイクル状態 Active —
インターフェース — Parallel
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
Speed Grade — 062E
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]
Data Rate Class — DDR4-3200 (062E speed bin)

データシート&リソース

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