K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16LY-062E AAT:E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WG-BCWE por Samsung Electro-Mechanics e MT40A512M16LY-062E AAT:E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16LY-062E AAT:E
Marca Samsung Electro-Mechanics Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $29,53 $9,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gbit (1 GB)
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
Taxa de dados 3200 Mbps —
Tensão de alimentação 1.2 V 1.2 V
Faixa de temperatura de operação 0°C to +85°C —
Operating Current 20 mA —
Encapsulamento FBGA-96 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Row Cycle Time (tRC) 19 ns —
Technology B-die —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Status do ciclo de vida Active —
Interface — Parallel
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
Speed Grade — 062E
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Package Height — [DATA_NEEDED: package max height]
MSL Rating — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Ordering Code Suffix — AAT:E (temperature/package option per Micron code)
Moisture Packaging — [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix]
Data Rate Class — DDR4-3200 (062E speed bin)

Fichas técnicas e recursos

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