K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BCK00 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BMK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BCK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ 生産中
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K4B4G1646D-BCK00 K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BCK00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BCK00
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.90 $5.90
Density 4 Gb 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) DDR3-1600 (800 MHz)
Voltage 1.35 V —
動作温度 -40°C to 95°C 0°C to 95°C (Tcase)
パッケージ 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
データレート 1600 Mbps 1600 Mbps/pin
電源電圧 — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage — 1.35V
Number of Banks — 8
CASレイテンシ — 11 (at 1600 Mbps)
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
RoHS — Compliant

データシート&リソース

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