K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BCK00 비교
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $5.90 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 동작 온도 | -40°C to 95°C | 0°C to 95°C (Tcase) |
| 패키지 | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin |
| 공급 전압 | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS 레이턴시 | — | 11 (at 1600 Mbps) |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |