K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646D-BMH9 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BMK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BMH9 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ 生産中
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K4B4G1646D-BMH9 K4B4G1646D-BMH9 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BMH9 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BMH9 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMH9
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.90 $6.50
Density 4 Gb 4Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Speed Grade 1600 Mbps (PC3L-12800) —
Voltage 1.35 V —
動作温度 -40°C to 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (9x13mm)
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Die Version D-die —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS Compliant Yes —
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Number of Functions 1 —
データレート 1600 Mbps 2133 Mb/s per pin
Number of Banks — 8
Supply Voltage (VDD) — 1.35V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
CASレイテンシ — Programmable
Burst Length — 8 and 4
RoHS ステータス — Compliant

データシート&リソース

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