K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYH9 メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16RE-125:D メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $4.19 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V |
| 動作温度 | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| パッケージ | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CASレイテンシ | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| メモリタイプ | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |