K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16RE-125:D Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics и MT41K256M16RE-125:D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ АктивенMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,30 | $4,19 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1333 Mbps | 1600 MT/s |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| Рабочая температура | 0 ~ 85 °C | 0C to +95C (TC) |
| Корпус | 96FBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Задержка CAS | Programmable | 11 |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Тип памяти | — | DDR3L SDRAM |
| RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |