K4B4G1646D-BYH90 vs K4B4G1646D-BHMA 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYH90 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BHMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BYH90 | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.80 | $2.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 2133 Mbps/pin | 1866 Mbps |
| 電源電圧 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Interface | x16 | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C (TC) |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 11, 12, 13) | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| ZQ Calibration | Yes (240-ohm resistor to ground) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |