K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYMA0 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BYMA0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYMA0 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.90 | $7.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| データレート | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| 動作温度 | 0°C to 85°C | — |
| CASレイテンシ | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| ピン数 | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +85°C |
| Auto Precharge | — | Supported |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Data Mask | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |