K4B4G1646D-BYK00 vs K4B4G1646D-BYK0 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BYK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中
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K4B4G1646D-BYK0 K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BYK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.50 $2.90
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
データレート 1600 Mbps 1600 Mbps (PC3-12800)
電源電圧 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.35 V (1.5 V compatible)
パッケージ 96-ball TFBGA 96-ball FBGA
Number of Terminals 96 —
動作温度 0°C to 85°C 0°C to 85°C
CASレイテンシ Programmable Programmable (e.g., 11, 10, 9)
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
Burst Length — 8 (with burst chop 4)
On-Die Termination — Yes
RoHS Compliant — Yes
ピン数 — 96
Die Revision — D-die

データシート&リソース

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