K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646E-BYMATCV 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BYMATCV メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.80 | $5.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | — |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| データレート | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| パッケージ | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| 動作温度 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| CASレイテンシ | 11 (CL-tRCD-tRP) | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| ピン数 | — | 96 |
| 動作温度範囲 | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | Compliant |