K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXL 比較

詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics および H5TC4G63CFR-xxL メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4B4G1646E-BYMA H5TC4G63CFR-xxL
ブランド Samsung Electronics SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $14.32 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) 1.35V
Clock Frequency 933 MHz —
データレート 1866 Mbps/pin [DATA_NEEDED: data rate]
動作温度 0°C to +95°C —
Operating Current 14 mA —
Standby Current 2 mA, 3 mA —
パッケージ FBGA-96 96-pin FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant Compliant
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length [DATA_NEEDED: Burst Length] 8 (with burst chop)
ピン数 96 96
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
インターフェース — DDR3L

データシート&リソース

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