K4B4G1646F-BYK0 vs K4B4G1646D-BMK0 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646F-BYK0 メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BMK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646F-BYK0 | K4B4G1646D-BMK0 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.80 | $5.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| 電源電圧 | 1.35V / 1.5V | — |
| データレート | 1866 Mbps | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96FBGA (TFBGA) |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (TC) | -40°C to 95°C |
| インターフェース | Parallel | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| CASレイテンシ | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Speed Grade | — | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Voltage | — | 1.35 V |
| Die Version | — | D-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Number of Functions | — | 1 |