K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIWM 比較

詳細な並列比較: K4RAH086VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VB-BIWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ 生産中
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K4RAH086VB-BIWM K4RAH086VB-BIWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BIWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $44.55 $4.85
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
メモリサイズ 16 Gb —
メモリ構成 2G x 8 [DATA_NEEDED: organization x4/x8]
データレート 5600 Mbps 5600 Mbps per pin
電源電圧 1.1 V [DATA_NEEDED: VDD voltage]
インターフェース DDR5 (parallel) —
パッケージ FBGA-82 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology DRAM (volatile) —
Speed Grade BCWM —
動作温度 Commercial temperature range (per datasheet) [DATA_NEEDED: temperature range]
ECC On-die ECC —
Burst Length 32 (BL32, DDR5 standard) —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
ライフサイクル状態 Active —
Sub-channel Architecture Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) —
Density — 16 Gb
Package Type — [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)]
Bank Groups — [DATA_NEEDED: bank group count]
CAS Latency (CWL) — Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec)
DLL — DLL Enabled mode operation
On-Die Termination — Yes (via Mode Register setting)
Internal Calibration — Yes (via MPC)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) — 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications)

データシート&リソース

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