K4RAH086VB-BIWM vs K4RAH086VB-BIQK 比較
詳細な並列比較: K4RAH086VB-BIWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH086VB-BIQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4RAH086VB-BIWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.85 | $4.25 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| データレート | 5600 Mbps per pin | 4800 Mbps/pin |
| メモリ構成 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] | 2G x 8 |
| 電源電圧 | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | — |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS Latency (CWL) | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) | — |
| DLL | DLL Enabled mode operation | — |
| On-Die Termination | Yes (via Mode Register setting) | — |
| Internal Calibration | Yes (via MPC) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| パッケージ | — | 82FBGA |
| Configuration | — | X8 |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| インターフェース | — | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |