K6F2016U4D-FF70T00 vs K6F2016U4E-EF70T 比較

詳細な並列比較: K6F2016U4D-FF70T00 メーカー: Samsung Electronics および K6F2016U4E-EF70T メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 ✓ 生産中
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6F2016U4D-FF70T00 K6F2016U4E-EF70T
ブランド Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.05 $0.00
メモリタイプ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 2 Mbit 2 Mbit
メモリ構成 128K x 16 128K x 16
Access Time (tAA) 70 ns 70 ns
Supply Voltage (Vcc) 2.7 V to 3.3 V —
インターフェース Parallel Parallel
Technology Full CMOS Full CMOS
Write Cycle Time (tWP) 50 ns —
動作温度 Industrial temperature range [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package 48-TFBGA (6 x 7)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Power Feature Super low power and low voltage —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.3 V
Active Supply Current (ICC1) — [DATA_NEEDED: ICC1]
Standby Current (ICC2) — [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade]
Control Signals — CE, OE, WE
Refresh Requirement — None (static RAM)
湿気感度レベル(MSL) — [DATA_NEEDED: MSL level]

データシート&リソース

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