K6F2016U4D-FF70T00 vs K6F2016U4E-EF70T Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K6F2016U4D-FF70T00 от Samsung Electronics и K6F2016U4E-EF70T от Samsung Electro-Mechanics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung
K6F2016U4D-FF70T00 ✓ АктивенSamsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K6F2016U4D-FF70T00 | K6F2016U4E-EF70T |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,05 | $0,00 |
| Тип памяти | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Размер памяти | 2 Mbit | 2 Mbit |
| Организация памяти | 128K x 16 | 128K x 16 |
| Access Time (tAA) | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (Vcc) | 2.7 V to 3.3 V | — |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS |
| Write Cycle Time (tWP) | 50 ns | — |
| Рабочая температура | Industrial temperature range | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Корпус | 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package | 48-TFBGA (6 x 7) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grades in Family | 55 ns, 70 ns | — |
| Power Feature | Super low power and low voltage | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Active Supply Current (ICC1) | — | [DATA_NEEDED: ICC1] |
| Standby Current (ICC2) | — | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Refresh Requirement | — | None (static RAM) |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |