K6F3216U6M-EF70T vs K6F1616U6A-EF55T 比較

詳細な並列比較: K6F3216U6M-EF70T メーカー: Samsung Electronics および K6F1616U6A-EF55T メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K6F3216U6M-EF70T K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T - 32Mbit Async SRAM 2Mx16 | Samsung

K6F3216U6M-EF70T ✓ 生産中
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K6F1616U6A-EF55T K6F1616U6A-EF55T - 16Mbit Async SRAM 55ns 48-TFBGA | Samsung

K6F1616U6A-EF55T - 16Mbit Async SRAM 55ns 48-TFBGA | Samsung

K6F1616U6A-EF55T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6F3216U6M-EF70T K6F1616U6A-EF55T
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.10 $0.00
メモリタイプ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 32 Mbit 16 Mbit
メモリ構成 2M x 16 1M x 16
電源電圧 3 V —
Access Time 55 ns 55 ns
インターフェース Parallel Parallel
Technology Full CMOS Static RAM Full CMOS Static RAM
パッケージ 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) 48-TFBGA (7.5 x 9.5 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade -EF70 (55 ns) —
Standard Pack Qty 2400 —
RoHS ステータス NO (per third-party listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Composition Volatile SRAM —
Refresh Requirement None (static memory) None (static RAM)
Supply Voltage Range — 2.7 V to 3.3 V
Packaging — Tape & Reel (T suffix)
Clock Frequency — N/A (asynchronous, no clock required)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

データシート&リソース

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