K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-BF70 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-GF70T00 メーカー: Samsung Electro-Mechanics および K6X0808C1D-BF70 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ 生産中
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70 K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 - 32Kx8 70ns Async SRAM | Samsung

K6X0808C1D-BF70 ✗ 生産終了

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-BF70
ブランド Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 製造終了
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $1.85
メモリタイプ SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM (CMOS)
メモリサイズ 256 Kbit —
メモリ構成 32K x 8 32K x 8
Access Time 70 ns 70 ns
インターフェース Parallel Parallel
Technology CMOS CMOS
電源電圧 5 V [DATA_NEEDED: Supply Voltage]
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ 28-SOP 28-SOP (PDSO28)
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +70C (commercial grade, BF suffix)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible Tri-state, common I/O (DQ0-DQ7)
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) —
Density — 256 Kbit
Operating Current (active) — [DATA_NEEDED: Operating Current]
Standby Current (CMOS) — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Data Retention — Volatile (battery-backup capable with CE control)
Address Bus — A0-A14 (15 address lines)

データシート&リソース

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